طراحی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند cmos با شبکه تطبیق lc

یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل

تقویت‌کننده کم‌نویز یکی از مهمترین بلوک‌های به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب می‌شود. در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز پهن‌باند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویت‌کننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...

طراحی تقویت کننده کم نویز باند فوق پهن

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...

طراحی تقویت کننده کم نویز پهن باند موج میلیمتری

در این پروژه سه تقویت کننده کم نویز موج میلیمتری برای گستره فرکانسی ghz 35-25 طراحی شده است. کلیه تقویت کننده های ارائه شده در این پایان نامه از یک طبقه ورودی سورس مشترک و یک طبقه شبه کسکود تشکیل شده اند تا دستیابی هم زمان به عدد نویز پایین و گین بالا ممکن شود. در این تحقیق، اثر چگالی جریان بر روی طبقات تقویت مختلف بررسی شده و با کاهش چگالی جریان طبقه سورس مشترک ورودی از مقدار بهینه ma/?m 15/0...

تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم

طراحی تقویت کننده نویز کم پهن باند با تکنیک کاهش و حذف نویز

در این پایان نامه تکنیک های کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده کم نویز پهن باند، ارائه شده است. پس از بررسی روش های موجود، برای کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده پهن باند، سه تقویت کننده کم نویز پهن باند معرفی شده است. در مدار پیشنهادی اول برای کاهش رابطه معکوس بین توان مصرفی و شرط حذف نویز، یک توپولوژی جدید معرفی شده است که منجر به بهبود توان مصرفی و عدد نویز مدار م...

طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...